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半导体材料微观结构分析介绍

半导体材料分析的主要手段有：SEM、FIB、TEM、HRTEM、EBSD等。FIB（聚焦离子束，FocusedIon beam)是将离子源(大多数FIB都用Ga，也有设备具有He和Ne离子源)产生的离子束经过离子枪加速,聚焦后作用于样品表面。作用：

1.产生二次电子信号取得电子像.此功能与SEM（扫描电子显微镜）相似

2.用强电流离子束对表面原子进行剥离,以完成微、纳米级表面形貌加工。

3.通常是以物理溅射的方式搭配化学气体反应，有选择性的剥除金属,氧化硅层或沉积金属层。

（FIB 聚焦离子束）